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Typical Characteristics: P-Channel (continued)
10
300
f = 1MHz
8
I D = -2.0A
V DS = -5V
-10V
250
V GS = 0 V
6
4
-15V
200
150
100
C OSS
C ISS
2
0
50
0
C RSS
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 17. Gate Charge Characteristics.
5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 18. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
10μs
4
R θ JA = 180°C/W
T A = 25°C
100μs
1ms
10ms
3
1
100ms
V GS = 10V
SINGLE PULSE
1s
DC
2
0.1
R θ JA = 180 o C/W
T A = 25 o C
1
0.01
0.1
1
10
100
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 19. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 20. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
R θ JA = 180°C/W
0.01
0.001
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 21. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC6333C Rev C (W)
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